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中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

2018-08-10 eNet&Ciweek/浅秋

据悉,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片,将在美国硅谷首次公开。

清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》,公开32层、64层3D NAND。YMTC透露,新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking,有效提高了数据处理速度。

此次,我国自主研发的内存芯片亮相美国,不仅改善了其他国家对我国芯片技术的看法,也表明我国芯片研发技术的进步。

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