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我国半导体SiC单晶粉料和设备获新突破

2018-06-07 eNet&Ciweek

据悉,中国电子科技集团公司第二研究所突破了大直径SiC生长的温场设计,实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。

单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性,是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料,具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

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