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中国投资130亿元量产相变内存:比内存快1000倍

2018-03-28 eNet&Ciweek/达光

江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式3月22日举行,130亿元投资的变相存储项目开始进入运营阶段。 

与传统存储芯片相比,相变存储芯片是一种非易失性存储芯片,其速度可达传统存储芯片的1000倍。

内存市场被三星、SK Hynix和美光三家公司垄断,中国要在该市场突破封锁仍需努力。

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