中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破，通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。

北京大学和香港理工大学的研究人员表示开发出的新技术，能将制备高质量石墨烯这一过程从每秒0.4微米加速到每秒60微米，速度提升了150倍。其中的诀窍就是在参与反应的铜箔上直接加入了少许氧气，氧化物基板会在化学气相沉积过程中高达800摄氏度的高温中释放出氧气，氧气的连续供应提高了石墨烯的生长速率，能在短短5秒的时间内生产出0.3毫米的单晶石墨烯。

石墨烯在电、光、机械强度上的优异特性，使其在电子学、太阳能电池、传感器等领域有着众多潜在应用。通过该技术能在产量增加的同时降低了石墨烯的生产成本，所带来的好处就是会进一步扩大石墨烯的使用范围，刺激其需求量的增长，也为石墨烯的大规模应用奠定了基础。