IBM苏黎世研究中心的科学家公布新的存储芯片成果，他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储，而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据可靠。

3bit PCM存储方案，可以在原有1bit的单元存储格中存储3bit的数据，存储密度得到显著提升。相对于传统的NAND闪存，IBM研发的3bit PCM可以经受住1000万次的数据写入，远高于TLC NAND甚至是SLC NAND产品，关键的存储速率方面，3bit PCM是NAND闪存的50多倍。

在新经济时代，什么是克敌制胜的法宝？第一是质量，第二是质量，第三还是质量。