东芝拟出资5000亿日元建设NAND闪存厂

　　据悉，东芝拟投资5,000亿日圆在日本三重县四日市新设半导体厂以因满足日益扩大的NAND型闪存市场需求。新厂将于2006年内动工，2007年开始投产，预料新厂加入生产行列后，产能将可增为目前的3倍。

　　全球NAND型Flash市场市占第二大的东芝，为迎头赶上三星电子，欲提高产能，目前东芝四日厂区内已有3座厂房，一厂与二厂的月产能共计为10.75万片（以8吋晶圆计）；第三座厂的产能则约为4.88万片（以12吋晶圆计）。

　　东芝计划新建的第四座厂将采90纳米制程，产能满载时，月产量约可达10万片（以12吋晶圆计）。新厂的建厂期间约为2年，投资总额约为5,000亿日圆，东芝可能寻求半导体事业伙伴SanDisk出资一半，以减轻投资负担。

　　据市调机构iSuppli日前公布的报告，2005年第三季（7～9月）全球NAND型Flash市场总销售额达29.71亿美元，三星以50.2％的市占率蝉联宝座；东芝以22.8％名列第二；海力士（Hynix）则以13.2％排名第三。